集成電路材料產(chǎn)業(yè)位于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上游，是整個(gè)行業(yè)的根基，材料的品質(zhì)直接影響集成電路產(chǎn)品性能。硅晶圓、光掩膜、光刻膠及附屬產(chǎn)品、濺射靶材等集成電路關(guān)鍵材料的穩(wěn)定供應(yīng)與集成電路制造企業(yè)生產(chǎn)進(jìn)度高度相關(guān)，對(duì)集成電路市場(chǎng)及整個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有決定性影響。目前，我國(guó)集成電路關(guān)鍵材料供應(yīng)三分之二以上依賴從境外進(jìn)口，極易受到產(chǎn)業(yè)生態(tài)改變、國(guó)際政治經(jīng)濟(jì)環(huán)境惡化、自然災(zāi)害突發(fā)、流行疾病擴(kuò)散等風(fēng)險(xiǎn)因素影響。

    2018~2019年，全球集成電路材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)平穩(wěn)，市場(chǎng)規(guī)模維持在520億美元以上。其中，中國(guó)臺(tái)灣集成電路材料市場(chǎng)規(guī)模連續(xù)十年位居全球第一。中國(guó)大陸

集成電路市場(chǎng)規(guī)模小幅增長(zhǎng)，2019年達(dá)到86.9億美元，始終保持在全球前三位。另外，全球硅晶圓、光掩膜、光刻膠及附屬產(chǎn)品、濺射靶材等關(guān)鍵材料銷售總額占比超六成。日本在集成電路關(guān)鍵材料領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯，關(guān)鍵材料全球市占率均超五成。

    近年來(lái)，全球市場(chǎng)平穩(wěn)發(fā)展，中國(guó)臺(tái)灣仍居第一。關(guān)鍵制造材料銷售總額占比超六成。集體電路材料是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中細(xì)分領(lǐng)域最多的環(huán)節(jié)，貫穿集成電路晶圓制造、前道工藝（芯片制造）、后道工藝（封裝）整個(gè)過(guò)程，另外，涉及的應(yīng)用包括硅晶圓、光掩膜、光刻膠及附屬產(chǎn)品、濺射靶材、化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）材料、電子特種氣體、濕法化學(xué)品、封裝基板、引線框架、液體密封劑、鍵合絲、錫球、電鍍液等，其中，硅晶圓、光掩膜、光刻膠及附屬產(chǎn)品、濺射靶材是集成電路制造產(chǎn)業(yè)需求量最大、使用量最多的核心關(guān)鍵材料。據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）最新報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2019年，全球集成電路制造材料的銷售總額為328億美元；硅晶圓、光掩膜、光刻膠及附屬產(chǎn)品、濺射靶材四大集成電路制造關(guān)鍵材料的銷售額分別為111.5億美元、38.7億美元、33.7億美元和28.7億美元，各占全球集成電路材料銷售總額的34%、11.8%、10.3%和8.8%，合計(jì)占比超過(guò)全球集成電路材料銷售總額的六成；其次，CMP研磨液和電子特種氣體銷售額分別為7.9億美元和5.5億美元。

    ①硅晶圓。其是最重要的集成電路材料，分為拋光片、外延片、退火片、節(jié)隔離片和絕緣體上硅片多種類型，其中拋光片是需求量最大的產(chǎn)品，其他硅晶圓產(chǎn)品也都是在拋光片基礎(chǔ)上二次加工而成的。目前，硅晶圓直徑尺寸主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）、18英寸（450毫米）幾種規(guī)格。硅晶圓越大，可制作的集成電路芯片數(shù)量就越多，每個(gè)芯片的制造成本就越低。因此，大尺寸晶圓是硅晶圓產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向。但硅片尺寸越大，對(duì)工藝設(shè)備、材料和技術(shù)的要求也越高，制備難度越大。因此，硅晶圓具有極高的技術(shù)壁壘，全球只有10家企業(yè)有能力制造，其中排名前五企業(yè)的全球市場(chǎng)份額約為90%。

    ②光掩膜（Photomask），又稱光罩。其是由鉻金屬薄膜石英玻璃片制成，是集成電路制造的“底片“。是承載集成電路設(shè)計(jì)圖案和知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息的載體。目前全球光掩膜的廠商主要集中在海外。

    ③光刻膠。其是由感光樹脂、增感劑、溶劑三種主要成份組成。在集成電路光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)曝光、顯影和刻蝕等步驟，將光掩膜上的集成電路圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。目前，全球光刻膠市場(chǎng)行業(yè)集中度很高，呈現(xiàn)寡頭壟斷局面。

    ④濺射靶材。其是集成電路濺射工藝中所使用的原材料，按成分可分為純金屬靶材（純金屬銅、鋁、鈦、鉭等）、合金靶材（鎳鈷合金、鎳鉻合金等）和陶瓷化合物靶材（硅化物、碳化物、氧化物、硫化物等）。濺射技術(shù)于19世紀(jì)40年代起源于西方，因此國(guó)外在濺射靶材制備生產(chǎn)方面擁有一個(gè)多世紀(jì)的積淀。